公告内容

“高频低损耗低温共烧陶瓷(LTCC)与导体浆料”科技成果转化需求对接公告
一、成果简介
“高频低损耗低温共烧陶瓷(LTCC)与导体浆料”是国防科技大学承研并突破的关键技术。低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术是一种新型电子集成封装技术,通过将陶瓷、玻璃粉体流延制成生瓷带,在生瓷带上高精度打孔,并使用金、银、铜基金属导体浆料进行填孔和电路图形印刷,叠层共烧后制得多层互联的陶瓷基板和天线、滤波器、巴伦等射频组件。LTCC技术可以实现无源元器件的内埋集成和有源器件的表面密集贴装,达成有源/无源器件的高密度混合集成,提高系统元件和互联电路的封装密度。产品制备工艺流程简单,周期短、成本低;所用原料不含有毒元素,安全性高;制得成品具有封装密度高、高频性能好、可靠性高的突出特点。该技术现已成为电子元器件集成化、模块化制备的首选方式之一,适用于相控阵雷达、通信设备、电子侦查和干扰设备、移动通信终端、5G/6G基站等领域先进电子元器件的制造。本成果主要包括适用于高频的LTCC材料与配套电子浆料,涵盖3项发明专利,已完成中试实验,技术成熟度达到5级。
LTCC材料具有如下特征:
1.首创使用低软化点微晶玻璃作为烧结助剂的技术方案,在实现多组分介质陶瓷低温致密化烧结的同时,通过在烧结后析出晶相来大幅降低复相陶瓷中的无定型玻璃相含量,克服了传统低温烧结陶瓷的高频介电损耗缺陷;
2.所用多组分介质陶瓷相较传统的氧化铝填充相具有更优的高频介电性能,且可对微晶玻璃烧结助剂的析晶行为起到调控作用,能够有效改善材料的工艺兼容性和产品的性能稳定性。
3.关键性能指标:烧结温度8***0~1****0°C,介电常数?r < 1**$3,介电损耗tanδ < 2.0 × 1**$3-3(@≥1**$3 GHz)。
二、拟转化方式
独占许可使用科技成果,许可期限为1**$3年。
三、拟转化价格
经第三方机构评估,该成果1**$3年期独占许可权市场价值为1****6万元,成交价格不低于评估价。
四、合作对象要求
1. 资源方面,具有丰富且稳定的金、银、铂等贵金属来源,具备较强的上下游产业链布局和拓展能力;优先考虑具有金、银、铂等贵金属研发团队的公司;
2. 资金方面,具有充足的资金投入能力(注:连续投入3年以上,总投资金额不低于人民币伍仟万元),具备丰富的制造业从业经验,承接该成果转化须成立独立运营的公司或独立核算的子公司
;
3. 地域方面,优先考虑在长沙或周边地区建设生产基地或研发中心的承接方;
4. 资质方面,产品销售前取得二级或以上保密资质。
公告期:2****5.0**$3.0**$3-2****5.0**$3.0**$3。
请有意向的单位于2****5年5月4日1**$3:3**$3前电话联系对接。联系人:胡先生,联系电话:1***6注册后查看6****1。
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