当前位置：首页 > 中标结果>抗辐照P沟场效应晶体管等成交公告
中标结果
北京市
公告内容
根据【抗辐照P沟场效应晶体管 等需求公告】及所有报价文件，经确认，现确定以下单位为【抗辐照P沟场效应晶体管 等需求公告】的成交供应商，主要公示信息如下：
采购方式：【内贸】
成交公告日期：【2****5-0**$3-3**$3】
| 中选供应商 | 耗材名称 | 型号规格 | 单价 | 数量 | 中选金额单价(人民币) | 中标意见 |
| 西安微电子技术研究所 | 抗辐照P沟场效应晶体管 | LCS7****2U3RH | 1****0 | 5**$3 | 1****0.0 | 价格合理，货期合适 |
| 西安微电子技术研究所 | 低压差稳压器 | LW5****1-0**$3 | 1****0 | 9 | 1****0.0 | 价格合理，货期合适 |
| 西安微电子技术研究所 | DDR3 | LS3D1**$3G7**$3WB2CH1 | 2注册后查看0 | 4 | 2注册后查看0.0 | 价格合理，货期合适 |
| 西安微电子技术研究所 | P沟道MOSFET | LCS7****2T1RH | 1****0 | 4 | 1****0.0 | 价格合理，货期合适 |
| 西安微电子技术研究所 | MOSFET | LCS7****9T1RH | 1****0 | 2 | 1****0.0 | 价格合理，货期合适 |
感谢各供应商对本项目的积极参与。请成交供应商在接到成交通知邮件后7天内，与我单位签订合同。合同一式四份，双方各执2份。
未成交的供应商如有疑义请在本公告公布后3天内，以书面形式传真至0***0-6注册后查看8。
采购单位：中国科学院国家空间科学中心
日期：2****5-0**$3-3**$3
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